ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Интегрированный гибридный усилитель класса ultra hi-end: лампы в предварительном каскаде, транзисторы SIT в оконечном
Выходная мощность: 2 х 50 Вт (8 Ом); 2 х100 Вт (4 Ом)
Частотный диапазон: 20 Гц – 100 кГц
КНИ: <0.1 %
Входы: 1-3 небалансные/линейные (Sourse Out); 4-ый небалансный (Main-In/Preamp Out)
Входной каскад: триодно-пентодный
Оконечный каскад: SIT SEPP O.T.L
Схема: без ООС, класс АВ
Контрольные функции: защита от бросков тока, защита SIT, защита от компонентов постоянного тока, активное охлаждение
Потребляемая мощность: 50 Вт (stand-by)
Питание: 100/230 В
Габаритные размеры: 43,0 х 36,3 х 19,7 см
Масса: 22 кг
Розничная цена: по запросу
ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ
Оптимальная гибридная технология, объединяющая лампы в предварительном каскаде и транзисторы SIT в оконечном, позволяет реализовать достоинства ламповой и транзисторной схемотехники и получить выразительное и очень музыкальное звучание. Лампа со свойственной ей способностью сглаживать резкие скачки сигнала гарантирует комфортное звучание даже на fortissimo, тогда как отобранные транзисторы SIT обеспечивают непревзойденную линейность амплитудно-частотной характеристики.
Японский полупроводник SIT (static induction transistor) разработан всемирно известным специалистом – экс-президентом университета Тохоку, доктором Нисицава. Данный SIT позволяет работать с высокими токами при низком энергопотреблении: минимизация сопротивления каналов гарантирует низкое внутренне сопротивление, высокую скорость нарастания выходного напряжения, высокий КПД.
Все вместе обеспечивает беспрецедентно высокую точность сигнальной трансмиссии.
